孙建平研究员就纳米CMOS技术面临的功耗、时延、漏电、可靠性以及建模等方面的挑战和与会师生进行了探讨，介绍了纳米器件建模的层次以及几个纳米器件建模的实例，并鼓励大家进行学科融合，大胆创新。
孙建平研究员曾在美国密西根大学电子工程和计算机科学系从事教学和半导体器件与电路研究，围绕新型纳米电子和光电器件的理论和设计计算开展了许多工作，提出了新型的量子变容管，成功进行了理论设计计算和实验制作与测量，在国际会议和刊物上发表了高水平的论文，受到广泛好评，并被多次引用。孙建平研究员于2005-2008年度担任美国国家基金会（NSF）在密西根大学几个科研项目的研究主任，并在国际学术刊物、国际学术会议发表微波技术、纳米理论和器件的科研论文约50多篇。
（专用集成电路设计重点实验室）
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